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手機納米液|中頻濺射鍍膜的注意事項，關于陰極弧(也就是離子鍍)，磁控濺射，以及坩堝蒸發都屬于PVD(物***相沉積)，坩堝蒸發主要是相變，蒸發靶材只有幾個電子伏特的能量。所以膜附著力小，但沉積率高，多用于光學鍍膜。磁控濺射中氬離子沖擊靶材使靶材原子和分子碎片沉積在零件，靶材材料動能可達數百甚至上千電子伏特能量。是真正的中性的納米級鍍膜。陰極弧起弧后一方面靶面高溫將材料冶金融化，強大電場然后將融化材料幾乎完全離子化，在靶電源和零件偏壓綜合作用下成膜?？雌饋黻帢O弧鍍較***，其實不然。首先靶面溶化過程很隨機不可控制，離子成團鍍到零件。鍍件均勻性和光滑性難以保證。通俗點講陰極弧鍍是真空下的焊接過程，陰極弧電源和焊接電源原理上很近似。陰極弧技術主要源于前蘇聯，在我國因種種原因較普及，電源簡單是很大一個因素。但技術不斷進步,啟動柜。近年過濾陰極弧技術發展較快，避免了成膜不均勻的缺點，但有所得必有所失，過濾使沉積率減小而設備成本增高。